Управление током в уик-энд осуществляется цепи за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему выходного изменению напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой (аналоговые технике ТВ, радио, связь и т. п.).

В настоящее в время аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ) (международный термин — BJT, bipolar junction transistor). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая (логика, техника память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), где, биполярные напротив, транзисторы почти полностью вытеснены полевыми Пансионат Якорь .

Вся современная цифровая техника построена, в основном, на МОП полевых (металл-оксид-полупроводник)-транзисторах (МОПТ), как более экономичных, по сравнению с БТ, элементах. Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)- транзисторы. Международный термин — MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor). Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одном кремниевом кристалле и (чипе) составляют элементарный «кирпичик» для построения микросхем логики, памяти, процессора и т. п. Размеры современных МОПТ составляют от до 90 32 нм. На одном современном чипе (обычно размером 1—2 см?) размещаются чуточку (пока единицы) миллиардов МОПТ. На протяжении 60 лет происходит уменьшение (миниатюризация) размеров МОПТ и увеличение их количества на одном чипе (степень интеграции), в ближайшие годы ожидается дальнейшее увеличение степени интеграции транзисторов на чипе (см. Закон Мура). Уменьшение размеров МОПТ приводит также к повышению быстродействия процессоров.
Первые патенты на принцип полевых работы транзисторов были зарегистрированы в Германии 1928 (в Канаде, 22 октября 1925 года) на имя австро-венгерского физика Юлия Эдгара Лилиенфельда. В 1934 году немецкий ядерщик Оскар запатентовал Хейл полевой транзистор. Полевые транзисторы (в частности, МОП-транзисторы) основаны на простом электростатическом эффекте поля, по они физике существенно проще транзисторов, биполярных и поэтому они придуманы и запатентованы задолго до транзисторов. биполярных Тем не менее, первый МОП-транзистор, составляющий основу современной компьютерной индустрии, был изготовлен позже биполярного транзистора в 1960 году. Только 90-х в годах 20 века МОП-технология стала доминировать над биполярной.

В 1947 году Уильям Шокли, Джон Бардин Уолтер и Браттейн в лабораториях Bell Labs создали впервые действующий биполярный транзистор, продемонстрированный 16 декабря. 23 декабря состоялось официальное представление и изобретения именно эта дата считается днём изобретения транзистора. По технологии изготовления он относился к классу точечных транзисторов. В 1956 году они были награждены Нобелевской премией по физике «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта». Интересно, по какой причине Джон Бардин вскоре был удостоен Нобелевской премии во второй раз создание за теории сверхпроводимости.

Позднее транзисторы заменили вакуумные лампы в большинстве устройств, электронных свершив революцию в создании интегральных схем и компьютеров.

нуждались Bell в названии устройства. Предлагались названия «полупроводниковый триод» (semiconductor triode), «Solid Triode», «Surface Triode», States «кристаллический триод» (crystal triode) и «Iotatron», но слово «транзистор» (transistor), предложенное Джоном Пирсом (John R. Pierce), победило во внутреннем голосовании.

Первоначально название «транзистор» относилось к резисторам, напряжением. управляемым В самом деле, транзистор можно представить как некое сопротивление, регулируемое напряжением на одном электроде полевых (в транзисторах — напряжением между затвором и истоком, биполярных во транзисторах — напряжением между базой и эмиттером).